原位光電分析測試系統(tǒng)以掃描電子顯微鏡為基礎，集成陰極熒光譜、微納機械臂、外部電學測量等功能，構建了一個直觀、實時和原位地研究先進功能材料和器件物理性能的系統(tǒng)，不僅可以實現(xiàn)對納米材料或器件的原位發(fā)光的檢測和電學物性的測試、納米尺度的操作和控制、以及特定納米光電子器件的構筑，還可以實現(xiàn)實時原位研究微納器件材料光電轉換過程的動態(tài)信息。該系統(tǒng)主要由7個功能模塊組成，其型號及生產(chǎn)廠家如下：
（1）場發(fā)射掃描電子顯微鏡，；
（2）陰極熒光光譜儀，；
（3）MM3A-EM電鏡微納操縱儀，德國Kleindiek Nanotechnik；
（4）半導體特性分析儀, 脈沖碼型發(fā)生器, 示波器,；
（5）s納米圖形發(fā)生器；
（6）電鏡冷凍臺，
（7）激光器
二、 主要參數(shù)
（1）場發(fā)射掃描電子顯微鏡
具有高真空功能、低真空功能和環(huán)境真空功能（需要更換部件），大束流200n A并且連續(xù)可調(diào)，典型換樣時間：高真空模式≤150秒；低真空及環(huán)境真空模式≤270秒。高真空30kV二次電子像分辨率：30kV時1.0 nm。
（2）陰極熒光光譜儀
光譜范圍160nm-1700nm；光譜分辨率0.07nm （1200gr/mm刻線, 400nm激發(fā)）
（3）電鏡微納操縱儀
納米和微米級移動和厘米級的工作范圍，XY大不小于50mm, Z大12mm,XY大速率10mm/s, z軸大速率2 mm/s，精度指標XY≤5nm, Z≤0.5nm, 漂移量<1nm /min。
（4）半導體特性分析儀/脈沖碼型發(fā)生器/示波器
直流測試：4個SMU，電壓測量范圍±100V, 電壓測量小分辨率0.5μV，電流測量范圍±100mA，電流測量小分辨率0.1fA；電容CV測試：頻率范圍1KHz~5MHz，頻率精度±0.008%；脈沖測量小脈寬10ns，波形電平100 mV 到20V。
（5）納米圖形發(fā)生器
具有DXF/DWG讀/寫轉換- GDSII/CIF圖形導入功能，同步掃描頻率為5 MHz,兼容6 MHz，電子束停留時間小增量(定時精度)為0.5納秒, 矢量掃描刻寫方式。
（6）電鏡冷凍臺
冷臺溫度可控范圍低至-190℃，溫度穩(wěn)定性優(yōu)于±0.5°C，冷阱溫度為-190℃。
（7）激光器
工作頻率10Hz，能量穩(wěn)定性< ±10%，指向穩(wěn)定性<±100微弧度，帶光學參量控制器（opo），opo控制輸出在192-2750nm波長范圍內(nèi)。